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SFH 2030 SFH 2030 F
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
SFH 2030 SFH 2030 F
Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet fur Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 2030) und bei 880 nm (SFH 2030 F) q Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns) q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehause q Auch gegurtet lieferbar Anwendungen q Industrieelektronik q "Messen/Steuern/Regeln" q Schnelle Lichtschranken fur Gleich- und Wechsellichtbetrieb q LWL Typ (*ab 4/95) Bestellnummer Type (*as of 4/95) Ordering Code SFH 2030 (*SFH 203) SFH 2030 F (*SFH 203 FA) Q62702-P955 Q62702-P956
Features
q Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 2030) and of 880 nm (SFH 2030 F) q Short switching time (typ. 5 ns) q 5 mm LED plastic package q Also available on tape Applications q Industrial electronics q For control and drive circuits q Light-reflecting switches for steady and varying intensity q Fiber optic transmission systems Gehause Package T13/4, klares bzw schwarzes Epoxy-Gieharz, Lotspiee im 2.54-mm-Raster (1/10), Kathodenkennzeichnung: kurzerer Lotspie, flach am Gehausebund transparent and black epoxy resin, solder tab 2.54 mm (1/10) lead spacing, cathode marking: short solder tab, flat at package
Semiconductor Group
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SFH 2030 SFH 2030 F
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Lottemperatur (Lotstelle 2 mm vom Gehause entfernt bei Lotzeit t 3s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung Total power dissipation Symbol Symbol Top; Tstg TS Wert Value -55 ... +100 300 Einheit Unit
oC oC
VR Ptot
50 100
V mW
Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Normlicht/standard light A, T = 2856 K, VR = 5 V, = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2 Wellenlange der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax Bestrahlungsempfindliche Flache Radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flache Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberflache zu Gehauseoberflache Distance chip front to case surface Symbol Wert Symbol Value SFH 2030 SFH 2030 F Einheit Unit
S S S max
80 ( 50) - 850 400 ...1100
- 25 ( 15) 900 800 ... 1100
nA/Ix A nm nm
A LxB LxW H
1 1x1
1 1x1
mm2 mm
4.0 ... 4.6
4.0 ... 4.6
mm
Semiconductor Group
443
SFH 2030 SFH 2030 F
Kennwerte (TA = 25 oC) Characteristics Bezeichnung Description Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 20 V Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit, = 850 nm Spectral sensitivity Quantenausbeute, = 850 nm Quantum yield Leerlaufspannung Open-circuit voltage Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm Kurzschlustrom Short-circuit current Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A, T = 2856 K Ee = 0.5 mW/cm2, = 950 nm Symbol Wert Symbol Value SFH 2030 IR S 20 1 ( 5) 0.62 0.89 SFH 2030 F 20 1 ( 5) 0.59 0.86 Grad deg. nA A/W Electrons Photon Einheit Unit
VL VL
420 ( 350) -
- 370 ( 300)
mV mV
IK IK
80 - 5
- 25 5
A A ns
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes tr, tf Rise and fall time of the photocurrent RL= 50 k; VR = 20 V; = 850 nm; Ip = 800 A Durchlaspannung, IF = 80 mA, E = 0 Forward voltage Kapazitat, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Temperaturkoeffizient von VL Temperature coefficient of VL Temperaturkoeffizient von IK, Temperature coefficient of IK Normlicht/standard light A = 950 nm Rauschaquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V, = 850 nm Nachweisgrenze, VR = 20 V, = 850 nm Detection limit VF C0 TCV TCI
1.3 11 -2.6
1.3 11 -2.6
V pF mV/K %/K
0.18 - NEP 2.9 x 10-14
- 0.2 2.9 x 10-14 W Hz cm * Hz W
D*
3.5 x 1012
3.5 x 1012
Semiconductor Group
444
SFH 2030 SFH 2030 F
Relative spectral sensitivity SFH 2030 Srel = f () Relative spectral sensitivity SFH 2030 F Srel = f () Photocurrent IP = f (Ev), VR = 5 V Open-circuit-voltage VL= f (Ev) SFH 2030
Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit-voltage VL= f (Ee) SFH 2030 F
Total power dissipation Ptot = f (TA)
Dark current IR = f (VR), E = 0
Directional characteristics Srel = f ()
Semiconductor Group
445

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